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  • 103009 Festkörperphysik

Fingerprint Tauchen Sie ein in die Recherchenthemengebiete, in denen Peter Hadley aktiv ist. Diese Themengebiet-Etiketten stammen von den Werken dieser Person. Gemeinsam bilden sie einen einzigartigen Fingerabdruck.

field effect transistors Physik & Astronomy
Field effect transistors Ingenieurwesen & Materialwissenschaft
Organic field effect transistors Chemische Bestandteile
Single electron transistors Ingenieurwesen & Materialwissenschaft
single electron transistors Physik & Astronomy
Silicon Chemische Bestandteile
Single crystals Chemische Bestandteile
magnetic resonance Physik & Astronomy

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Forschungsoutput 1991 2019

Manipulating drug release from tridimensional porous substrates coated by initiated chemical vapor deposition

Ghasemi-Mobarakeh, L., Werzer, O., Keimel, R., Kolahreez, D., Hadley, P. & Coclite, A. M., 2019, in : Journal of applied polymer science. 136, 33, 47858.

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

Chemical vapor deposition
Substrates
Pharmaceutical Preparations
Acids
Coatings

Characterization of Moisture Uptake in Microelectronics Packaging Materials

Huber, F., Etschmaier, H., Wolfberger, A., Singulani, A. & Hadley, P., 26 Nov 2018, 2018 7th Electronic System-Integration Technology Conference, ESTC 2018 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers, 8546489

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandBeitrag in einem KonferenzbandForschungBegutachtung

Packaging materials
Microelectronics
Moisture
Epoxy Compounds
Free volume

Electrically detected magnetic resonance of carbon dangling bonds at the Si-face 4H-SiC/SiO2 interface

Gruber, G., Cottom, J., Meszaros, R., Koch, M., Pobegen, G., Aichinger, T., Peters, D. & Hadley, P., 28 Apr 2018, in : Journal of Applied Physics. 123, 16, 161514.

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

magnetic resonance
metal oxide semiconductors
field effect transistors
carbon
defects

Impact of the NO Anneal on the Microscopic Structure and Chemical Composition of the Si‐Face 4H‐SiC/SiO2 Interface

Gruber, G., Gspan, C., Fisslthaler, E., Dienstleder, M., Pobegen, G., Aichinger, T., Meszaros, R., Grogger, W. & Hadley, P., 2018, in : Advanced energy materials. 5, S. 1800022 7 S.

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

Open Access

An EBIC Model for TCAD Simulation to Determine the Surface Recombination Rate in Semiconductor Devices

Kraxner, A., Roger, F., Fisslthaler, E., Löffler, B., Minixhofer, R., Faccinelli, M. & Hadley, P., 2016, in : IEEE Transactions on Electron Devices. 63, 11, S. 4395-4401 6 S.

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschung

Aktivitäten 2006 2013

Degradation of Electrical Parameters of Power Semiconductor Devices - Process Influences and Modeling

Peter Hadley (Ausführende/r)
5 Dez 2013

Aktivität: Prüfungs- oder BetreuungstätigkeitExterne Prüfungstätigkeit

Electrical Characterization of Semiconductor Nanostructures by Conductive Probe Based Atomic Force Microscopy

Peter Hadley (Ausführende/r)
1 Apr 2011

Aktivität: Prüfungs- oder BetreuungstätigkeitExterne Prüfungstätigkeit

Beyond CMOS - EURODOTS Workshop

Peter Hadley (Redner/in)
31 Aug 2011

Aktivität: Vortrag oder PräsentationGastvortragScience to science

Beyond CMOS, Leuven (Belgien)

Peter Hadley (Teilnehmer/-in)
1 Sep 2011

Aktivität: Teilnahme an / Organisation vonFestival oder Austellung (Teilnahme an/Organisation von)

Habilitationskommission Chioncel, 5150 Institut für Theoretische Physik - Computational Physics (Externe Organisation)

Peter Hadley (Mitglied)
1 Jun 201020 Okt 2010

Aktivität: MitgliedschaftMitgliedschaft in Prüfungskommission

Projekte 2013 2016

  • 2 Abgeschlossen