Total ionizing dose effects on MOS transistors fabricated in 0.18 µm CMOS technology

Varvara Bezhenova, Alicja Malgorzata Michalowska-Forsyth

Institut für Elektronik (4390)

Publikation: Konferenzbeitrag › Poster › Begutachtung

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Total ionizing dose effects on MOS transistors fabricated in 0.18 µm CMOS technology
Varvara Bezhenova (Redner/in)
18 Mai 2016 → 21 Mai 2016
Aktivität: Vortrag oder Präsentation › Posterpräsentation › Science to science