Modeling of the immunity of ICs to EFTs

Ji Zhang*, Jayong Koo, Daryl G. Beetner, Richard Moseley, Scott Herrin, David Pommerenke

*Korrespondierende/r Autor/-in für diese Arbeit

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandBeitrag in einem KonferenzbandBegutachtung

Abstract

Investigation of the immunity of ICs to EFTs is increasingly important. In this paper, an accurate model of a microcontroller is developed and verified. This model consists of two parts: a passive Power Distribution Network (PDN) model and an active I/O protection network model. Measurement methods are designed to extract the parameters of the passive PDN model. The accuracy of the overall model of the IC is verified using both S parameter tests and EFT injection tests. The model is able to accurately predict the voltage and current at power-supply and I/O pins and correctly accounts for the active components of the I/O protection network.

Originalspracheenglisch
TitelIEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility, EMC 2010 - Final Program
Seiten484-489
Seitenumfang6
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1 Dez. 2010
Extern publiziertJa
Veranstaltung2010 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility: EMC 2010 - Fort Lauderdale, USA / Vereinigte Staaten
Dauer: 25 Juli 201030 Juli 2010

Publikationsreihe

NameIEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility
ISSN (Print)1077-4076

Konferenz

Konferenz2010 IEEE International Symposium on Electromagnetic Compatibility
Land/GebietUSA / Vereinigte Staaten
OrtFort Lauderdale
Zeitraum25/07/1030/07/10

ASJC Scopus subject areas

  • Physik der kondensierten Materie
  • Elektrotechnik und Elektronik

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