Schnelle und einfache Modellgenerierung für Superjunction Leistungs-MOSFETs: Ein einfacher Weg zu genauen SPICE-Modellen auch ohne genaue Informationen aus dem Datenblatt

Michael Fuchs*, Lukas Spielberger, Ko Odreitz, Bernd Deutschmann

*Korrespondierende/r Autor/in für diese Arbeit

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikel

Abstract

Diese Arbeit beschreibt einen neuen Weg zur Erstellung eines Verhaltensmodells für Leistungs-MOSFETs mit hochgradig nichtlinearen parasitären Kapazitäten, wie jene basierend auf dem Superjunction-Prinzip. Der beschriebene Prozess reicht von einer einfachen Messung bis hin zum fertigen Modell für SPICE-Simulationen. Einer der Vorteile der vorgeschlagenen Modellierungstechnik besteht darin, dass keine Informationen über die spannungsabhängigen Kapazitäten des MOSFET aus dem Datenblatt benötigt werden, sondern stattdessen auf eine einfache Messmethode mit einem Vektornetzwerkanalysator zurückgegriffen werden kann. Die gewonnenen Messdaten können für die Modellierung aller parasitären Kapazitäten und Induktivitäten im SPICE-Modell verwendet werden. Im Vergleich zu bestehenden Simulationsmodellen des Herstellers verspricht das vorgestellte Modell eine bessere Konvergenz, ein besseres Hochfrequenzverhalten und eine schnellere Simulationszeit. Die Vor- und Nachteile dieser Modellierungstechnik werden diskutiert
Titel in ÜbersetzungFast and simple model generation for superjunction power MOSFETs: An easy way to get accurate SPICE models even without precise information from the data sheet
Originalsprachedeutsch
Seiten (von - bis)48-52
Seitenumfang5
FachzeitschriftElektrotechnik und Informationstechnik
Jahrgang138
Ausgabenummer1
Frühes Online-Datum18 Dez 2020
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - Feb 2021

Schlagwörter

  • modeling
  • power electronics
  • power MOSFET
  • SPICE
  • superjunction

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  • !!Electrical and Electronic Engineering

Fields of Expertise

  • Information, Communication & Computing

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