Ein einfacher modellbasierter Ansatz zur Regelung der stationären Verdampfung organischer Halbleiter im Hochvakuum

Martin Steinberger, Martin Horn, Alexander Fian, Georg Jakopic

Research output: Contribution to journalArticleResearchpeer-review

Abstract

Die Fertigung organischer elektronischer Bauelemente basiert hauptsächlich auf der
thermischen Verdampfung von organischen Halbleitermaterialien im Hochvakuum. Maßgeblich für die Qualität der hergestellten Schichten mit einer Dicke von nur wenigen Nanometern ist die so genannte Aufdampfrate, das ist die zeitliche Änderung der Schichtdicke während des Aufdampfprozesses. Im vorliegenden Beitrag wird zunächst ein einfaches mathematisches Modell des stationären Verdampfungsprozesses abgeleitet. Danach wird ein nichtlineares Konzept zur Regelung der Aufdampfrate vorgestellt, welches an einer realen
Anlage implementiert wurde. Abschließend wird die Leistungsfähigkeit des entworfenen Regelkreises an Hand experimenteller Ergebnisse erläutert und diskutiert.
Original languageGerman
Pages (from-to)15-24
JournalInternational journal automation Austria
Volume19
Issue number1
Publication statusPublished - 2011

Fields of Expertise

  • Advanced Materials Science

Treatment code (Nähere Zuordnung)

  • Application
  • Experimental

Cite this

Ein einfacher modellbasierter Ansatz zur Regelung der stationären Verdampfung organischer Halbleiter im Hochvakuum. / Steinberger, Martin; Horn, Martin; Fian, Alexander; Jakopic, Georg.

In: International journal automation Austria, Vol. 19, No. 1, 2011, p. 15-24.

Research output: Contribution to journalArticleResearchpeer-review

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author = "Martin Steinberger and Martin Horn and Alexander Fian and Georg Jakopic",
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journal = "International journal automation Austria",
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TY - JOUR

T1 - Ein einfacher modellbasierter Ansatz zur Regelung der stationären Verdampfung organischer Halbleiter im Hochvakuum

AU - Steinberger, Martin

AU - Horn, Martin

AU - Fian, Alexander

AU - Jakopic, Georg

PY - 2011

Y1 - 2011

N2 - Die Fertigung organischer elektronischer Bauelemente basiert hauptsächlich auf der thermischen Verdampfung von organischen Halbleitermaterialien im Hochvakuum. Maßgeblich für die Qualität der hergestellten Schichten mit einer Dicke von nur wenigen Nanometern ist die so genannte Aufdampfrate, das ist die zeitliche Änderung der Schichtdicke während des Aufdampfprozesses. Im vorliegenden Beitrag wird zunächst ein einfaches mathematisches Modell des stationären Verdampfungsprozesses abgeleitet. Danach wird ein nichtlineares Konzept zur Regelung der Aufdampfrate vorgestellt, welches an einer realen Anlage implementiert wurde. Abschließend wird die Leistungsfähigkeit des entworfenen Regelkreises an Hand experimenteller Ergebnisse erläutert und diskutiert.

AB - Die Fertigung organischer elektronischer Bauelemente basiert hauptsächlich auf der thermischen Verdampfung von organischen Halbleitermaterialien im Hochvakuum. Maßgeblich für die Qualität der hergestellten Schichten mit einer Dicke von nur wenigen Nanometern ist die so genannte Aufdampfrate, das ist die zeitliche Änderung der Schichtdicke während des Aufdampfprozesses. Im vorliegenden Beitrag wird zunächst ein einfaches mathematisches Modell des stationären Verdampfungsprozesses abgeleitet. Danach wird ein nichtlineares Konzept zur Regelung der Aufdampfrate vorgestellt, welches an einer realen Anlage implementiert wurde. Abschließend wird die Leistungsfähigkeit des entworfenen Regelkreises an Hand experimenteller Ergebnisse erläutert und diskutiert.

M3 - Artikel

VL - 19

SP - 15

EP - 24

JO - International journal automation Austria

JF - International journal automation Austria

SN - 1562-2703

IS - 1

ER -