Ein einfacher modellbasierter Ansatz zur Regelung der stationären Verdampfung organischer Halbleiter im Hochvakuum

Martin Steinberger, Martin Horn, Alexander Fian, Georg Jakopic

Research output: Contribution to journalArticle

Abstract

Die Fertigung organischer elektronischer Bauelemente basiert hauptsächlich auf der
thermischen Verdampfung von organischen Halbleitermaterialien im Hochvakuum. Maßgeblich für die Qualität der hergestellten Schichten mit einer Dicke von nur wenigen Nanometern ist die so genannte Aufdampfrate, das ist die zeitliche Änderung der Schichtdicke während des Aufdampfprozesses. Im vorliegenden Beitrag wird zunächst ein einfaches mathematisches Modell des stationären Verdampfungsprozesses abgeleitet. Danach wird ein nichtlineares Konzept zur Regelung der Aufdampfrate vorgestellt, welches an einer realen
Anlage implementiert wurde. Abschließend wird die Leistungsfähigkeit des entworfenen Regelkreises an Hand experimenteller Ergebnisse erläutert und diskutiert.
Original languageGerman
Pages (from-to)15-24
JournalInternational journal automation Austria
Volume19
Issue number1
Publication statusPublished - 2011

Fields of Expertise

  • Advanced Materials Science

Treatment code (Nähere Zuordnung)

  • Application
  • Experimental

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