A Schrödinger-Poisson-Boltzmann system applied to the charge carrier transport in strained silicon

Gregor Toschkoff, Gerald Ossig, Peter Lichtenberger, Karin Zojer, Ferdinand Schürrer

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Original language	English
Pages (from-to)	239-246
Journal	Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica / C
Volume	33 C
Issue number	1
DOIs	https://doi.org/10.1393/ncc/i2010-10585-1
Publication status	Published - 2010

Fields of Expertise

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TY - JOUR

T1 - A Schrödinger-Poisson-Boltzmann system applied to the charge carrier transport in strained silicon

AU - Toschkoff, Gregor

AU - Ossig, Gerald

AU - Lichtenberger, Peter

AU - Zojer, Karin

AU - Schürrer, Ferdinand

PY - 2010

Y1 - 2010

U2 - 10.1393/ncc/i2010-10585-1

DO - 10.1393/ncc/i2010-10585-1

M3 - Article

SN - 2037-4909

VL - 33 C

SP - 239

EP - 246

JO - Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica / C

JF - Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica / C

IS - 1

ER -