Project Details
Description
In diesem Projekt wurde ein Vergleich zwischen einer ersten Generation von MCT (MOS Controlled Thyristor) und einem ähnlichen IGBT in Schaltanwendungen vorgenommen. Beide wurden in einer Testschaltung eingesetzt, die nahezu stromloses Ein- und Ausschalten simuliert. Auch ein Vergleich bei "hartem" Schalten wurde durchgeführt.
Status | Finished |
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Effective start/end date | 1/01/96 → 31/01/98 |