Volcano effect in open through silicon via (TSV) technology

J. Kraft, E. Stückler, C. Cassidy, W. Niko, F. Schrank, E. Wachmann, Christian Gspan, Ferdinand Hofer

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandBeitrag in einem Konferenzband

Originalspracheenglisch
Titel2012 IEEE International Reliability Physics Symposium
ErscheinungsortPiscataway, NY
Herausgeber (Verlag)Institute of Electrical and Electronics Engineers
SeitenPI2.1-PI2.5
ISBN (Print)978-1-4577-1678-2
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2012
VeranstaltungIEEE International Reliability Physics Symposium - Anaheim, USA / Vereinigte Staaten
Dauer: 15 Apr 201219 Apr 2012

Konferenz

KonferenzIEEE International Reliability Physics Symposium
LandUSA / Vereinigte Staaten
OrtAnaheim
Zeitraum15/04/1219/04/12

Fields of Expertise

  • Advanced Materials Science

Treatment code (Nähere Zuordnung)

  • Basic - Fundamental (Grundlagenforschung)

Dieses zitieren

Kraft, J., Stückler, E., Cassidy, C., Niko, W., Schrank, F., Wachmann, E., ... Hofer, F. (2012). Volcano effect in open through silicon via (TSV) technology. in 2012 IEEE International Reliability Physics Symposium (S. PI2.1-PI2.5). Piscataway, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers. https://doi.org/10.1109/IRPS.2012.6241924