TVS devices transient behavior modeling framework and application to Seed

Li Shen, Shubhankar Marathe, Javad Meiguni, Guangxiao Luo, Jianchi Zhou, David Pommerenke

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Abstract

The transient behavior for four different types of TVS (non-snapback, snapback, spark gap, varistor) is modeled using the same modeling framework. By a 10 ns VF-TLP, the quasi-static I-V curve and the transient turn-on are captured and modeled in ADS. The models are applied in a SEED simulation to investigate the strengths and weaknesses of the modeling frame.

Originalspracheenglisch
TitelElectrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2019, EOS/ESD 2019
Herausgeber (Verlag)ESD Association
ISBN (elektronisch)9781585373116
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1 Sep 2019
Extern publiziertJa
Veranstaltung41st Annual Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, EOS/ESD 2019 - Riverside, USA / Vereinigte Staaten
Dauer: 15 Sep 201920 Sep 2019

Publikationsreihe

NameElectrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings
Band2019-September
ISSN (Print)0739-5159

Konferenz

Konferenz41st Annual Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, EOS/ESD 2019
LandUSA / Vereinigte Staaten
OrtRiverside
Zeitraum15/09/1920/09/19

ASJC Scopus subject areas

  • !!Electrical and Electronic Engineering

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  • Dieses zitieren

    Shen, L., Marathe, S., Meiguni, J., Luo, G., Zhou, J., & Pommerenke, D. (2019). TVS devices transient behavior modeling framework and application to Seed. in Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2019, EOS/ESD 2019 (Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings; Band 2019-September). ESD Association.