Simulation of non-equilibrium electron transport in silicon quantum wires

Gerald Ossig, Ferdinand Schürrer

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

Originalspracheenglisch
Seiten (von - bis)367-370
FachzeitschriftJournal of computational electronics
Jahrgang7
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2008

Fields of Expertise

  • Information, Communication & Computing

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  • Basic - Fundamental (Grundlagenforschung)
  • Theoretical

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Simulation of non-equilibrium electron transport in silicon quantum wires. / Ossig, Gerald; Schürrer, Ferdinand.

in: Journal of computational electronics, Jahrgang 7, 2008, S. 367-370.

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

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TY - JOUR

T1 - Simulation of non-equilibrium electron transport in silicon quantum wires

AU - Ossig, Gerald

AU - Schürrer, Ferdinand

PY - 2008

Y1 - 2008

U2 - 10.1007/s10825-008-0238-y

DO - 10.1007/s10825-008-0238-y

M3 - Article

VL - 7

SP - 367

EP - 370

JO - Journal of computational electronics

JF - Journal of computational electronics

SN - 1569-8025

ER -