Simulating Hybrid Circuits of Single-Electron Transistors and Field-Effect Transistors

Günther Lientschnig*, Irek Weymann, Peter Hadley

*Korrespondierende/r Autor/-in für diese Arbeit

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelBegutachtung

Abstract

An exact model for a single-electron transistor was developed within the circuit simulation package SPICE. This model uses the orthodox theory of single-electron tunneling and determines the average current through the transistor as a function of the bias voltage, the gate voltage, and the temperature. Circuits including single-electron transistors,' field-effect transistors (FETs), and operational amplifiers were then simulated. In these circuits, the single-electron transistors provide the charge sensitivity while the FETs tune the background charges, provide gain, and provide low output impedance.

Originalspracheenglisch
Seiten (von - bis)6467-6472
Seitenumfang6
FachzeitschriftJapanese journal of applied physics
Jahrgang42
Ausgabenummer10
PublikationsstatusVeröffentlicht - Okt. 2003
Extern publiziertJa

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