Race conditions among protection devices for a high speed I/O interface

Jianchi Zhou*, Javad Meiguni, Sergej Bub, Steffen Holland, Guido Notermans, Yang Xu, Giorgi Maghlakelidze, David Pommerenke, Daryl Beetner

*Korrespondierende/r Autor/in für diese Arbeit

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandBeitrag in einem Konferenzband

Abstract

–The ESD coupling path and on-board impedances strongly affect the ESD rise time seen on a PCB trace. Possible race conditions between external and on-die ESD protection were studied using measurement-based models of the transient response and on-board passives. Results show the interplay of rise time and protection turn-on can prevent the external TVS from responding in time.

Originalspracheenglisch
TitelElectrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium 2020, Proceedings - EOS/ESD 2020
Herausgeber (Verlag)ESD Association
ISBN (elektronisch)9781728194615
PublikationsstatusVeröffentlicht - 13 Sep 2020
Veranstaltung42nd Annual Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, EOS/ESD 2020 - Reno, USA / Vereinigte Staaten
Dauer: 13 Sep 202018 Sep 2020

Publikationsreihe

NameElectrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings
Band2020-September
ISSN (Print)0739-5159

Konferenz

Konferenz42nd Annual Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, EOS/ESD 2020
LandUSA / Vereinigte Staaten
OrtReno
Zeitraum13/09/2018/09/20

ASJC Scopus subject areas

  • !!Electrical and Electronic Engineering

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