N-Type Self-Assembled Monolayer Field-Effect Transistors and Complementary Inverters

Andreas Ringk, Xiaoran Li, Fatemeh Gholamrezaie, Edsger C.P. Smits, Alfred Neuhold, Armin Moser, Cees van der Marel, Gerwin H. Gelinck, Roland Resel, Dago M. de Leeuw, Peter Strohriegel

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikel

Originalspracheenglisch
Seiten (von - bis)2016-2023
FachzeitschriftAdvanced functional materials
Jahrgang23
Ausgabenummer16
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2013

Fields of Expertise

  • Advanced Materials Science

Treatment code (Nähere Zuordnung)

  • Basic - Fundamental (Grundlagenforschung)

Dieses zitieren

Ringk, A., Li, X., Gholamrezaie, F., Smits, E. C. P., Neuhold, A., Moser, A., ... Strohriegel, P. (2013). N-Type Self-Assembled Monolayer Field-Effect Transistors and Complementary Inverters. Advanced functional materials, 23(16), 2016-2023. https://doi.org/10.1002/adfm.201202888