Modeling of annular gate MOS transistors

Publikation: KonferenzbeitragPosterBegutachtung

Originalspracheenglisch
PublikationsstatusVeröffentlicht - Sep. 2018
VeranstaltungConference on Radiation Effects on Components and Systems - Gothenburg, Schweden
Dauer: 16 Sep. 201821 Sep. 2018
http://www.radecs2018.org/

Konferenz

KonferenzConference on Radiation Effects on Components and Systems
KurztitelRADECS
Land/GebietSchweden
OrtGothenburg
Zeitraum16/09/1821/09/18
Internetadresse

ASJC Scopus subject areas

  • Elektrotechnik und Elektronik
  • Modellierung und Simulation
  • Strahlung

Treatment code (Nähere Zuordnung)

  • Basic - Fundamental (Grundlagenforschung)
  • Experimental
  • Theoretical

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