Mathematische Modellierung des thermischen Verdampfungsverhaltens organischer Halbleiter

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

Abstract

Organische elektronische Bauelemente wie z. B. Dünnfilmtransistoren werden üblicherweise durch thermische Verdampfung organischer Halbleitermaterialien aus einer Effusionszelle im Hochvakuum hergestellt. In der vorliegenden Arbeit wird ein mathematisches Modell einer Beschichtungsanlage entwickelt, welches das instationäre Verdampfungsverhalten der Halbleiter, das thermische Verhalten der Effusionszelle sowie das Wachstum dünner Schichten beschreibt. Das Modell soll als Grundlage für modellbasierte Reglerentwürfe dienen.

Organic electronic devices such as thin film transistors are usually manufactured by thermal evaporation of organic semiconductors out of an effusion cell under high vacuum conditions. In the present work a mathematical model of a coating plant is developed. It covers the transient evaporation of the organic semiconductors as well as the thermal behaviour of the evaporation cell and the growth of thin films. The model is intended to serve as a basis for model based controller designs.
Originalsprachedeutsch
Seiten (von - bis)841-848
FachzeitschriftAutomatisierungstechnik
Jahrgang61
Ausgabenummer12
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2013

Fields of Expertise

  • Advanced Materials Science

Dies zitieren

Mathematische Modellierung des thermischen Verdampfungsverhaltens organischer Halbleiter. / Steinberger, Martin; Horn, Martin; Jakopic, Georg.

in: Automatisierungstechnik, Jahrgang 61, Nr. 12, 2013, S. 841-848.

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

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TY - JOUR

T1 - Mathematische Modellierung des thermischen Verdampfungsverhaltens organischer Halbleiter

AU - Steinberger, Martin

AU - Horn, Martin

AU - Jakopic, Georg

PY - 2013

Y1 - 2013

N2 - Organische elektronische Bauelemente wie z. B. Dünnfilmtransistoren werden üblicherweise durch thermische Verdampfung organischer Halbleitermaterialien aus einer Effusionszelle im Hochvakuum hergestellt. In der vorliegenden Arbeit wird ein mathematisches Modell einer Beschichtungsanlage entwickelt, welches das instationäre Verdampfungsverhalten der Halbleiter, das thermische Verhalten der Effusionszelle sowie das Wachstum dünner Schichten beschreibt. Das Modell soll als Grundlage für modellbasierte Reglerentwürfe dienen.Organic electronic devices such as thin film transistors are usually manufactured by thermal evaporation of organic semiconductors out of an effusion cell under high vacuum conditions. In the present work a mathematical model of a coating plant is developed. It covers the transient evaporation of the organic semiconductors as well as the thermal behaviour of the evaporation cell and the growth of thin films. The model is intended to serve as a basis for model based controller designs.

AB - Organische elektronische Bauelemente wie z. B. Dünnfilmtransistoren werden üblicherweise durch thermische Verdampfung organischer Halbleitermaterialien aus einer Effusionszelle im Hochvakuum hergestellt. In der vorliegenden Arbeit wird ein mathematisches Modell einer Beschichtungsanlage entwickelt, welches das instationäre Verdampfungsverhalten der Halbleiter, das thermische Verhalten der Effusionszelle sowie das Wachstum dünner Schichten beschreibt. Das Modell soll als Grundlage für modellbasierte Reglerentwürfe dienen.Organic electronic devices such as thin film transistors are usually manufactured by thermal evaporation of organic semiconductors out of an effusion cell under high vacuum conditions. In the present work a mathematical model of a coating plant is developed. It covers the transient evaporation of the organic semiconductors as well as the thermal behaviour of the evaporation cell and the growth of thin films. The model is intended to serve as a basis for model based controller designs.

M3 - Artikel

VL - 61

SP - 841

EP - 848

JO - Automatisierungstechnik

JF - Automatisierungstechnik

SN - 0178-2312

IS - 12

ER -