Abstract
This work contains an investigation of hot-electrons effects in GaN transistors during a hard-switching event by means of wafer-level measurements and TCAD mixed-mode hydrodynamic simulations. The latter reveals the presence of hot electrons at the passivation/barrier interface during commutation. Trapping in this location can explain the measured on-state resistance increase during switching operation and leads to a redistribution of the lateral electric field in the two-dimensional electron gas, which in return modulates the hot electron injection process.
Originalsprache | englisch |
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Aufsatznummer | 114208 |
Fachzeitschrift | Microelectronics Reliability |
Jahrgang | 126 |
DOIs | |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - Nov. 2021 |
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