High-resolution cross-sectional analysis of the interface between SiC and SiO2 in a MOSFET device via atomic resolution STEM

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandBeitrag in einem Konferenzband

Originalspracheenglisch
TitelESREF2019_Proceedings
Kapitelsession C 2.1
Seitenumfang6
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2019
Veranstaltung30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis - Centre de congres P. Baudis, Toulouse , Frankreich
Dauer: 23 Sep 201926 Sep 2019
https://imina.ch/events/conference-semiconductor-Failure-Analysis-ESREF-2019-Toulouse-France

Konferenz

Konferenz30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis
KurztitelESREF 2019
LandFrankreich
OrtToulouse
Zeitraum23/09/1926/09/19
Internetadresse

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  • !!Materials Science(all)

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  • Advanced Materials Science

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