High-resolution cross-sectional analysis of the interface between SiC and SiO2 in a MOSFET device via atomic resolution STEM

Evelin Fisslthaler, Georg Haberfehlner, Christian Gspan, Gernot Gruber, Werner Grogger

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikel

Abstract


Originalspracheenglisch
Aufsatznummer113366
Seitenumfang6
FachzeitschriftMicroelectronics Reliability
Jahrgang100-101
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2019

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