Abstract
Diese Arbeit beschreibt einen neuen Weg zur Erstellung eines Verhaltensmodells für Leistungs-MOSFETs mit hochgradig nichtlinearen parasitären Kapazitäten, wie jene basierend auf dem Superjunction-Prinzip. Der beschriebene Prozess reicht von einer einfachen Messung bis hin zum fertigen Modell für SPICE-Simulationen. Einer der Vorteile der vorgeschlagenen Modellierungstechnik besteht darin, dass keine Informationen über die spannungsabhängigen Kapazitäten des MOSFET aus dem Datenblatt benötigt werden, sondern stattdessen auf eine einfache Messmethode mit einem Vektornetzwerkanalysator zurückgegriffen werden kann. Die gewonnenen Messdaten können für die Modellierung aller parasitären Kapazitäten und Induktivitäten im SPICE-Modell verwendet werden. Im Vergleich zu bestehenden Simulationsmodellen des Herstellers verspricht das vorgestellte Modell eine bessere Konvergenz, ein besseres Hochfrequenzverhalten und eine schnellere Simulationszeit. Die Vor- und Nachteile dieser Modellierungstechnik werden diskutiert
Titel in Übersetzung | Schnelle und einfache Modellgenerierung für Superjunction Leistungs-MOSFETs: Ein einfacher Weg zu genauen SPICE-Modellen auch ohne genaue Informationen aus dem Datenblatt |
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Originalsprache | englisch |
Seiten (von - bis) | 48-52 |
Seitenumfang | 5 |
Fachzeitschrift | Elektrotechnik und Informationstechnik |
Jahrgang | 138 |
Ausgabenummer | 1 |
Frühes Online-Datum | 18 Dez. 2020 |
DOIs | |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - Feb. 2021 |
Schlagwörter
- modeling
- power electronics
- power MOSFET
- SPICE
- superjunction
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- Elektrotechnik und Elektronik
Fields of Expertise
- Information, Communication & Computing