Evidence for an abrupt transition between SiO2 and SiC from eels and Ab initio modelling

Jonathon Cottom*, Manesh V. Mistry, Gernot Gruber, Gregor Pobegen, Thomas Aichinger, Alexander L. Shluger

*Korrespondierende/r Autor/-in für diese Arbeit

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandBeitrag in einem KonferenzbandBegutachtung

Abstract

Electron energy loss spectroscopy (EELS) and ab initio simulations are combined in this study to produce an atomistic interpretation of the interface morphology in lateral 4H-SiC / SiO2 MOSFETs with deposited gate oxides. This allows the question of interface abruptness, and the presence the postulated SiOxCy interlayer to be explored for a subset of devices with deposited oxides. From comparison between EELS and ab initio calculation the interfaces considered are best described as abrupt, but stepped, transitioning without any of the carbon excess or SiOxCy interlayer that have been described for other devices observed.

Originalspracheenglisch
TitelSilicon Carbide and Related Materials, 2018
Redakteure/-innenPeter M. Gammon, Vishal A. Shah, Richard A. McMahon, Michael R. Jennings, Oliver Vavasour, Philip A. Mawby, Faye Padfield
Herausgeber (Verlag)Trans Tech Publications Ltd.
Seiten199-203
Seitenumfang5
ISBN (Print)9783035713329
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1 Jan. 2019
Veranstaltung12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2018 - Birmingham, Großbritannien / Vereinigtes Königreich
Dauer: 2 Sep. 20186 Sep. 2018

Publikationsreihe

NameMaterials Science Forum
Band963 MSF
ISSN (Print)0255-5476

Konferenz

Konferenz12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM 2018
Land/GebietGroßbritannien / Vereinigtes Königreich
OrtBirmingham
Zeitraum2/09/186/09/18

ASJC Scopus subject areas

  • Werkstoffwissenschaften (insg.)
  • Physik der kondensierten Materie
  • Werkstoffmechanik
  • Maschinenbau

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