Epitaxial growth of para-hexaphenyl on GaAs(001)-2×4

Kurt Erlacher, Roland Resel, S. Hampel, T. Kuhlmann, K. Lischka, B. Müller, A. Thierry, B. Lotz, Günther Leising

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

Originalspracheenglisch
Seiten (von - bis)191-197
FachzeitschriftSurface science
Jahrgang437
Ausgabenummer1-2
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1999

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  • Experimental

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Erlacher, K., Resel, R., Hampel, S., Kuhlmann, T., Lischka, K., Müller, B., ... Leising, G. (1999). Epitaxial growth of para-hexaphenyl on GaAs(001)-2×4. Surface science, 437(1-2), 191-197.

Epitaxial growth of para-hexaphenyl on GaAs(001)-2×4. / Erlacher, Kurt; Resel, Roland; Hampel, S.; Kuhlmann, T.; Lischka, K.; Müller, B.; Thierry, A.; Lotz, B.; Leising, Günther.

in: Surface science, Jahrgang 437, Nr. 1-2, 1999, S. 191-197.

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

Erlacher, K, Resel, R, Hampel, S, Kuhlmann, T, Lischka, K, Müller, B, Thierry, A, Lotz, B & Leising, G 1999, 'Epitaxial growth of para-hexaphenyl on GaAs(001)-2×4' Surface science, Jg. 437, Nr. 1-2, S. 191-197.
Erlacher K, Resel R, Hampel S, Kuhlmann T, Lischka K, Müller B et al. Epitaxial growth of para-hexaphenyl on GaAs(001)-2×4. Surface science. 1999;437(1-2):191-197.
Erlacher, Kurt ; Resel, Roland ; Hampel, S. ; Kuhlmann, T. ; Lischka, K. ; Müller, B. ; Thierry, A. ; Lotz, B. ; Leising, Günther. / Epitaxial growth of para-hexaphenyl on GaAs(001)-2×4. in: Surface science. 1999 ; Jahrgang 437, Nr. 1-2. S. 191-197.
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JO - Surface science

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