Electrically detected magnetic resonance study of defects created by hot carrier stress at the SiC/SiO2 interface of a SiC n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Gernot Gruber, Peter Hadley, Markus Koch, Thomas Aichinger

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelBegutachtung

Originalspracheenglisch
Seiten (von - bis)043506-043506
FachzeitschriftApplied Physics Letters
Jahrgang105
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2014

Fields of Expertise

  • Advanced Materials Science

Treatment code (Nähere Zuordnung)

  • Experimental

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