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Abstract
Die Fertigung organischer elektronischer Bauelemente basiert hauptsächlich auf der
thermischen Verdampfung von organischen Halbleitermaterialien im Hochvakuum. Maßgeblich für die Qualität der hergestellten Schichten mit einer Dicke von nur wenigen Nanometern ist die so genannte Aufdampfrate, das ist die zeitliche Änderung der Schichtdicke während des Aufdampfprozesses. Im vorliegenden Beitrag wird zunächst ein einfaches mathematisches Modell des stationären Verdampfungsprozesses abgeleitet. Danach wird ein nichtlineares Konzept zur Regelung der Aufdampfrate vorgestellt, welches an einer realen
Anlage implementiert wurde. Abschließend wird die Leistungsfähigkeit des entworfenen Regelkreises an Hand experimenteller Ergebnisse erläutert und diskutiert.
thermischen Verdampfung von organischen Halbleitermaterialien im Hochvakuum. Maßgeblich für die Qualität der hergestellten Schichten mit einer Dicke von nur wenigen Nanometern ist die so genannte Aufdampfrate, das ist die zeitliche Änderung der Schichtdicke während des Aufdampfprozesses. Im vorliegenden Beitrag wird zunächst ein einfaches mathematisches Modell des stationären Verdampfungsprozesses abgeleitet. Danach wird ein nichtlineares Konzept zur Regelung der Aufdampfrate vorgestellt, welches an einer realen
Anlage implementiert wurde. Abschließend wird die Leistungsfähigkeit des entworfenen Regelkreises an Hand experimenteller Ergebnisse erläutert und diskutiert.
Originalsprache | deutsch |
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Seiten (von - bis) | 15-24 |
Fachzeitschrift | International journal automation Austria |
Jahrgang | 19 |
Ausgabenummer | 1 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2011 |
Fields of Expertise
- Advanced Materials Science
Treatment code (Nähere Zuordnung)
- Application
- Experimental
Projekte
- 1 Abgeschlossen
-
ffg_Aufdampfprozesse - Nichtlineare Regelung instationärer Aufdampfprozesse
Dourdoumas, N., Steinberger, M. & Horn, M.
1/01/08 → 30/10/11
Projekt: Forschungsprojekt