An approach to characterize behavior of multiport ICs under ESD stress

Omid Hoseini Izadi, Kathleen Muhonen, Nathaniel Peachey, David Pommerenke

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Abstract

ESD characterization of an RF switch was investigated by measuring and analyzing the voltage and current at its input and output ports. This characterization shows the device starts conducting during ESD events, allowing more than 1 A of current to pass through and raising the output voltage to ~30 V.

Originalspracheenglisch
TitelElectrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2019, EOS/ESD 2019
Herausgeber (Verlag)ESD Association
ISBN (elektronisch)9781585373116
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 1 Sep 2019
Extern publiziertJa
Veranstaltung41st Annual Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, EOS/ESD 2019 - Riverside, USA / Vereinigte Staaten
Dauer: 15 Sep 201920 Sep 2019

Publikationsreihe

NameElectrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings
Band2019-September
ISSN (Print)0739-5159

Konferenz

Konferenz41st Annual Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, EOS/ESD 2019
LandUSA / Vereinigte Staaten
OrtRiverside
Zeitraum15/09/1920/09/19

ASJC Scopus subject areas

  • !!Electrical and Electronic Engineering

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    Izadi, O. H., Muhonen, K., Peachey, N., & Pommerenke, D. (2019). An approach to characterize behavior of multiport ICs under ESD stress. in Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings 2019, EOS/ESD 2019 (Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings; Band 2019-September). ESD Association. https://doi.org/10.23919/EOS/ESD.2019.8870004