An application of system level efficient ESD design for high- speed USB3.x interface

Pengyu Wei, Giorgi Maghlakelidze, Jianchi Zhou, Harald Gossner, David Pommerenke

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandBeitrag in einem Konferenzband

Abstract

A high-speed USB3.x IO is analyzed using the System level efficient ESD design methodology [1] using on-board current and voltage measurements for the TX and RX pins. The interactions between external ESD protection device and the on-chip ESD protection circuit is investigated in measurement and simulation.

Originalspracheenglisch
TitelElectrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, EOS/ESD 2018
Herausgeber (Verlag)ESD Association
ISBN (elektronisch)1585373028
PublikationsstatusVeröffentlicht - 25 Okt 2018
Extern publiziertJa
Veranstaltung40th Annual Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, EOS/ESD 2018 - Reno, USA / Vereinigte Staaten
Dauer: 23 Sep 201828 Sep 2018

Publikationsreihe

NameElectrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings
Band2018-September
ISSN (Print)0739-5159

Konferenz

Konferenz40th Annual Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium, EOS/ESD 2018
LandUSA / Vereinigte Staaten
OrtReno
Zeitraum23/09/1828/09/18

ASJC Scopus subject areas

  • !!Electrical and Electronic Engineering

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