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Erscheinungsjahr

  • 2020
  • 2019
  • 2018
  • 2017
  • 2016

Autor

  • Peter Hadley
2019

Manipulating drug release from tridimensional porous substrates coated by initiated chemical vapor deposition

Ghasemi-Mobarakeh, L., Werzer, O., Keimel, R., Kolahreez, D., Hadley, P. & Coclite, A. M., 2019, in : Journal of applied polymer science. 136, 33, 47858.

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

2018

Characterization of Moisture Uptake in Microelectronics Packaging Materials

Huber, F., Etschmaier, H., Wolfberger, A., Singulani, A. & Hadley, P., 26 Nov 2018, 2018 7th Electronic System-Integration Technology Conference, ESTC 2018 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers, 8546489

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandBeitrag in einem KonferenzbandForschungBegutachtung

Electrically detected magnetic resonance of carbon dangling bonds at the Si-face 4H-SiC/SiO2 interface

Gruber, G., Cottom, J., Meszaros, R., Koch, M., Pobegen, G., Aichinger, T., Peters, D. & Hadley, P., 28 Apr 2018, in : Journal of Applied Physics. 123, 16, 161514.

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

Impact of the NO Anneal on the Microscopic Structure and Chemical Composition of the Si‐Face 4H‐SiC/SiO2 Interface

Gruber, G., Gspan, C., Fisslthaler, E., Dienstleder, M., Pobegen, G., Aichinger, T., Meszaros, R., Grogger, W. & Hadley, P., 2018, in : Advanced energy materials. 5, S. 1800022 7 S.

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

Open Access
2016

An EBIC Model for TCAD Simulation to Determine the Surface Recombination Rate in Semiconductor Devices

Kraxner, A., Roger, F., Fisslthaler, E., Löffler, B., Minixhofer, R., Faccinelli, M. & Hadley, P., 2016, in : IEEE Transactions on Electron Devices. 63, 11, S. 4395-4401 6 S.

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschung

Influence of oxide processing on the defects at the SiC-SiO2 interface measured by electrically detected magnetic resonance

Gruber, G., Aichinger, T., Pobegen, G., Peters, D., Koch, M. & Hadley, P., 2016, Silicon Carbide and Related Materials 2015. Trans Tech Publications Ltd., Band 858. S. 643-646 4 S. (Materials Science Forum; Band 858).

Publikation: Beitrag in Buch/Bericht/KonferenzbandBeitrag in einem KonferenzbandForschungBegutachtung

MOSFET Aging Measurements and Hot-Electron Degradation Models

Schiffmann, A., Okt 2016, (Unveröffentlicht) 149 S.

Publikation: StudienabschlussarbeitDiplomarbeitForschung

Recombination centers in 4H-SiC investigated by electrically detected magnetic resonance and ab initio modeling

Cottom, J., Gruber, G., Hadley, P., Koch, M., Pobegen, G., Aichinger, T. & Shluger, A., 14 Mai 2016, in : Journal of Applied Physics. 119, 18, 181507.

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung

Simulation of the proton implantation process in silicon

Faccinelli, M., Jelinek, M., Wuebben, T., Laven, J. G., Schulze, H-J. & Hadley, P., 19 Jul 2016, in : Physica status solidi / C. 6 S.

Publikation: Beitrag in einer FachzeitschriftArtikelForschungBegutachtung