Kinetik der Elektronen und Phononen in Halbleitern und Bauelementen

Projekt: Foschungsprojekt

Beschreibung

In der modernen Halbleitertechnologie gewinnt die Miniaturisierung der Bauteile (VLSI-Design*) zunehmend an Bedeutung. Die Abmessungen einzelner Komponenten werden vergleichbar mit der Distanz zweier aufeinanderfolgender Wechselwirkungen der Ladungsträger mit dem Kristall. Drift-Diffusionsmodelle, die den Ladungstransport in Halbleitern sehr effizient zu beschreiben ver-mögen, verlieren in extrem funktional integrierten elektronischen Bauteilen an Genauigkeit. Hier hat die raum-zeitliche Simulation des Ladungstransports mittels semi-klassischer Boltzmanngleichungen oder Quantentransportgleichungen zu erfolgen. In Femtosekunden Laserexperimenten beeinflussen Nicht-Gleich-gewichtsverteilungen longitudinal-optischer Phononen die Verteilungsfunktion der Elektronen. Folglich sind in eine konsistente kinetische Behandlung auch die Entwicklungsgleichungen der Phononenverteilungsfunktionen einzubeziehen.
StatusAbschlussdatum
Tatsächlicher Beginn/ -es Ende1/10/0131/01/06