ffg_Aufdampfprozesse - Nichtlineare Regelung instationärer Aufdampfprozesse

Die Herstellung dünner halbleitender organischer Schichten, die z.B. als aktive Materialien in organischen elektronischen oder optoelektronischen Bauelementen zum Einsatz kommen können, erfordert (neben anderen Parametern) die Einhaltung strenger Vorgaben für Verdampfungsrate und Schichtdicke. Wesentlich für das entsprechende homogene Schichtenwachstum ist aufgrund des engen Zusammenhanges der mikrokristallinen Struktur mit dem elektrischen Ladungstransport im Festkörper dabei die exakte Einhaltung vorgegebener Aufdampfraten. Aufgrund instationärer Vorgänge bei der Verdampfung ist diese Forderung sehr schwer zu erfüllen. Das vorgeschlagene Projekt befasst sich mit der modellbasierten Regelung von Verdampfungsprozessen organischer Halbleitermaterialien. Da in der einschlägigen Fachliteratur keine Ansätze zur Berücksichtigung der instationären Effekte existieren, ist eine durch entsprechende Experimente und numerische Simulation abgesicherte Erweiterung des mathematischen Modells zur Nachbildung dieser Phänomene unumgänglich. Auf der Basis der gefundenen mathematischen Beschreibung sind geeignete Regelungskonzepte zu entwickeln, deren Leistungsfähigkeit experimentell mit Materialien mit sehr unterschiedlichem Verdampfungsverhalten nachzuweisen ist.