Beschreibung
Dünne VN-Schichten, die mittels RTP-Prozess auf Si-Einkristallen abgeschieden wurden, werden mittels Analytischer Elektronenmikroskopie in bezug auf die lokale chemische Zusammensetzung analysiert. Mit Hilfe von EFTEM-Elementverteilungsbildern und STEM-EELS Linescans konnten anhand von TEM-Querschnittsproben die Verteilung der Elemente V, N und O bestimmt werden. Die Ergebnisse wurden mit SIMS-Messungen verglichen.
| Status | Abschlussdatum |
|---|---|
| Tatsächlicher Beginn/ -es Ende | 1/05/99 → 31/12/01 |