Analytische Charakterisierung von dünnen Schichten in Halbleiterbauelementen und magnetischen Schichtsystemen mittels EFTEM und EELS

Projekt: Arbeitsgebiet

Projektdetails

Beschreibung

Mit Hilfe von EFTEM-Elementverteilungsbildern und magnetischen schichtsystemen chemische Defekte mit Nanometerdimensionen in Halbleiterbauelementen detektiert, die dann mit quantitativer EELS-Spektrometrie analysiert werden. Mit Hilfe eines gemeinsam mit Gatan entwickelten Programmes kann das STEM und das Energiefilter so gesteuert werden, sodass EELS-Linescans mit Nanometerauflösung aufgenommen werden können.
StatusAbschlussdatum
Tatsächlicher Beginn/ -es Ende1/01/9931/12/05